SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB против Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Средняя оценка

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 70

Около 40% меньшая задержка

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.3 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.8 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 70
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 15.3
Скорость записи, Гб/сек

8.0 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2535 1971

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Kingston 9905474-019.A00LF 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

модули RAM

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston 9905703-011.A00G 16GB

Kingston 9905703-011.A00G 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

Kingston KC5N22-MIE 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9905702-006.A00G 8GB

Kingston 9905702-006.A00G 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM