RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
44
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2022
3245
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link