RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2022
3245
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link