RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
44
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
2155
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link