RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2155
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link