RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
44
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
1897
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link