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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
44
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
1897
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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