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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.7
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
21.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3806
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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