RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
73
Por volta de 40% menor latência
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
73
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1977
1843
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link