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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
73
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
73
读取速度,GB/s
12.3
15.2
写入速度,GB/s
7.8
9.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
1843
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
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