Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

审查RAM Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB, 规格、基准

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB 记忆模块回顾. 主要技术特点和PassMark的基准性能评估. 我们建议研究所有数据,并与竞争模式进行比较。

规格

完整的技术规格清单
特点
  • Type
    DDR4
  • 命名
    Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666
  • 特征
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 内存带宽
    21300 mbps
  • 时序/时钟速度

    * 检查制造商的网站

    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
性能由PassMark提供
  • 延迟
    73 ns
  • 阅读速度
    15.2 GB/s
  • 写入速度
    9.1 GB/s
# 1600 1866 2133 2400 2666 2800 3000 3200 3333 3400 3466 3600 3733 3866 4000 MT/s
8 10.00 8.57 7.50 6.67 6.00 5.71 5.33 5.00 4.80 4.71 4.62 4.44 4.29 4.14 4.00
9 11.25 9.65 8.44 7.50 6.75 6.43 6.00 5.63 5.40 5.29 5.19 5.00 4.82 4.66 4.50
10 12.50 10.72 9.38 8.33 7.50 7.14 6.67 6.25 6.00 5.88 5.77 5.56 5.36 5.17 5.00
11 13.75 11.79 10.31 9.17 8.25 7.86 7.33 6.88 6.60 6.47 6.35 6.11 5.89 5.69 5.50
12 15.00 12.86 11.25 10.00 9.00 8.57 8.00 7.50 7.20 7.06 6.92 6.67 6.43 6.21 6.00
13 16.25 13.93 12.19 10.83 9.75 9.29 8.67 8.13 7.80 7.65 7.50 7.22 6.96 6.73 6.50
14 17.50 15.01 13.13 11.67 10.50 10.00 9.33 8.75 8.40 8.24 8.08 7.78 7.50 7.24 7.00
15 18.75 16.08 14.06 12.50 11.25 10.71 10.00 9.38 9.00 8.82 8.66 8.33 8.04 7.76 7.50
16 20.00 17.15 15.00 13.33 12.00 11.43 10.67 10.00 9.60 9.41 9.23 8.89 8.57 8.28 8.00
17 21.25 18.22 15.94 14.17 12.75 12.14 11.33 10.63 10.20 10.00 9.81 9.44 9.11 8.79 8.50
18 22.50 19.29 16.88 15.00 13.50 12.86 12.00 11.25 10.80 10.59 10.39 10.00 9.64 9.31 9.00
19 23.75 20.36 17.82 15.83 14.25 13.57 12.67 11.88 11.40 11.18 10.96 10.56 10.18 9.83 9.50
20 25.00 21.44 18.75 16.67 15.00 14.29 13.33 12.50 12.00 11.76 11.54 11.11 10.72 10.35 10.00
CL

CAS延迟衡量的是,从提出读取数据的请求到获得这些信息所经过的时钟周期的数量。

性能测试

真实的测试 Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
读取非缓存传输速度
无缓存的平均内存读取时间
写入传输速度
平均写入速度
给RAM评分
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