RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparar
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Pontuação geral
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
42
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2620
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link