RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
65
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,711.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,018.7
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,711.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
513
2616
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparações de RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link