RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,978.2
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
66
Por volta de -74% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
38
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
2843
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Relatar um erro
×
Bug description
Source link