RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,978.2
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
66
Por volta de -288% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22
2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
17
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
22.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
16.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
3704
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link