RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
2,978.2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
66
Около -288% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
17
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
22.0
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
3704
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link