SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Pontuação geral
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Pontuação geral
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    32 left arrow 66
    Por volta de -106% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    9.8 left arrow 2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.6 left arrow 2,978.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    66 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,929.1 left arrow 9.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,978.2 left arrow 8.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    511 left arrow 2271
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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