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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
総合得点
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
66
周辺 -106% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.8
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
2,978.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
66
32
読み出し速度、GB/s
2,929.1
9.8
書き込み速度、GB/秒
2,978.2
8.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
511
2271
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