RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
68
Por volta de -209% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
2,013.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,402.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,013.5
8.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
701
2340
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link