RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,013.5
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
68
Por volta de -300% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
17
Velocidade de leitura, GB/s
4,402.8
21.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,013.5
17.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
701
3714
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link