RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Compara
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
68
En -300% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
17
Velocidad de lectura, GB/s
4,402.8
21.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,013.5
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
701
3714
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link