RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,381.6
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
60
Por volta de -131% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
26
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
3332
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link