RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,381.6
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
60
Por volta de -140% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
25
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
3077
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link