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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,381.6
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
60
Por volta de -122% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
27
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
10.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
2755
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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