RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
60
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
2,381.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
38
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
9.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
2434
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link