RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
44
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
41
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
11.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2656
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link