RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
44
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
21
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
14.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3507
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link