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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
44
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
44
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
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