RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link