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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
44
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
44
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-016.A00G 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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