RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
87
Por volta de -295% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
17.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3653
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link