RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
44
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
26
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
17.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3885
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link