RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
44
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
23
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2960
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link