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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
14,740.4
17.1
写入速度,GB/s
8,883.4
12.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2960
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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