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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
AMD R7416G2400U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
AMD R7416G2400U2S 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
39
左右 -77% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
22
读取速度,GB/s
14.6
18.1
写入速度,GB/s
8.8
14.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3260
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
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