RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
44
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
35
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
2654
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link