RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2654
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link