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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
63
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.6
1,583.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,895.6
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,583.7
6.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
639
1832
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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