RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
1832
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link