Comparação RAM Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Pontuação geral

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

35 37

Por volta de 5% menor latência

Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16 12.3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.6 7.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1570 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns