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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
37
Por volta de 5% menor latência
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1570
2808
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparações de RAM
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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