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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparar
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.4
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
39
Velocidade de leitura, GB/s
9.4
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1453
1768
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparações de RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparações de RAM
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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