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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
63
Por volta de -117% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
8.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2513
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
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