RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2513
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link