RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
63
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
11.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3122
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link