RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
63
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
12.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3222
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link