RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
63
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3222
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link