RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
94
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
94
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
6.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
1390
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link