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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
63
Por volta de -215% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
15.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3473
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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