RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
63
Около -215% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3473
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link