RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
80
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
80
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
8.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
1775
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link