RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
63
Por volta de -142% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
16.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
3866
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link